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FQD12N20TM_F080

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Spezifikation

Artikelnummer

FQD12N20TM_F080
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FQD12N20TM_F080.pdf
2.FQD12N20TM_F080.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 55W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Tc)

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Das Folgende sind "FQD12N20TM_F080" -Einziper.

FQD12N20TM

FQD12N20TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD12N20TF

FQD12N20TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD12N20LTF

FQD12N20LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD13N06TF

FQD13N06TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD13N10LTF

FQD13N10LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD11P06TF

FQD11P06TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD10N20TM

FQD10N20TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD12N20LTM_SN00173

FQD12N20LTM_SN00173

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD12P10TF

FQD12P10TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD12N20LTM-F085P

FQD12N20LTM-F085P

Beschreibung: NMOS DPAK 200V 280 MOHM

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD12P10TM-F085

FQD12P10TM-F085

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD13N06TM

FQD13N06TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD12P10TM

FQD12P10TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD13N10LTM_NBEL001

FQD13N10LTM_NBEL001

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD11P06TM

FQD11P06TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD13N06LTF

FQD13N06LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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