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FQD1N50TM

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Spezifikation

Artikelnummer

FQD1N50TM
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FQD1N50TM.pdf
2.FQD1N50TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 550mA, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 25W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 1.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.1A (Tc)

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Das Folgende sind "FQD1N50TM" -Einziper.

FQD17P06TF

FQD17P06TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD19N10TF

FQD19N10TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD1N60TF

FQD1N60TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD1P50TM

FQD1P50TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD20N06LTF

FQD20N06LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD19N10LTF

FQD19N10LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD19N10LTM

FQD19N10LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD19N10TM_F080

FQD19N10TM_F080

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD1N80TM

FQD1N80TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD1N80TF

FQD1N80TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD19N10TM

FQD19N10TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD1N60CTM

FQD1N60CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD18N20V2TF

FQD18N20V2TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD1P50TF

FQD1P50TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD1N50TF

FQD1N50TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD20N06LETM

FQD20N06LETM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD1N60CTF

FQD1N60CTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD17P06TM

FQD17P06TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQD1N60TM

FQD1N60TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

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