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FQPF10N60CT

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Spezifikation

Artikelnummer

FQPF10N60CT
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQPF10N60CT.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

730 mOhm @ 4.75A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 9.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.5A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FQPF10N60CT" -Einziper.

FQPF10N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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