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FQT2P25TF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FQT2P25TF
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.FQT2P25TF.pdf
    2.FQT2P25TF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-223-4
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 Ohm @ 275mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-261-4, TO-261AA
  • Andere Namen
    FQT2P25TFDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    250V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 250V 550mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    550mA (Tc)

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Das Folgende sind "FQT2P25TF" -Einziper.
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT13N06TF

FQT13N06TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT13N06LTF

FQT13N06LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT3P20TF

FQT3P20TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FQT-1

FQT-1

Beschreibung: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE

Hersteller: Essentra Components
vorrätig
RFQ
TK290P60Y,RQ

TK290P60Y,RQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK20E60W,S1VX

TK20E60W,S1VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FQT7N10TF

FQT7N10TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQPF12P10

FQPF12P10

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT3P20TF-SB82100

FQT3P20TF-SB82100

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT1N60CTF-WS

FQT1N60CTF-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT4N20TF

FQT4N20TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT1N80TF-WS

FQT1N80TF-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT4N25TF

FQT4N25TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT5P10TF

FQT5P10TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT-1BK

FQT-1BK

Beschreibung: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK

Hersteller: Essentra Components
vorrätig
RFQ
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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