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FW813-TL-H

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FW813-TL-H
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FW813-TL-H.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    49 mOhm @ 5A, 10V
  • Leistung - max
    2.5W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    725pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 2.5W Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5A

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Das Folgende sind "FW813-TL-H" -Einziper.
JAN2N7335

JAN2N7335

Beschreibung: MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
NTGD3133PT1G

NTGD3133PT1G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
CSD87331Q3D

CSD87331Q3D

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
FDD8424H-F085A

FDD8424H-F085A

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FW811-TL-E

FW811-TL-E

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AUIRF7316Q

AUIRF7316Q

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMC3036LSD-13

DMC3036LSD-13

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
AON4807_101

AON4807_101

Beschreibung: MOSFET P-CH DUAL DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRF7304

IRF7304

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7105PBF

IRF7105PBF

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
EPC2105

EPC2105

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
APTML1002U60R020T3AG

APTML1002U60R020T3AG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
TSM6968SDCA RVG

TSM6968SDCA RVG

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 20V 6.5A 8TSSOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
FDMS3602AS

FDMS3602AS

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AON6996

AON6996

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
FW812-TL-E

FW812-TL-E

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 35V 10A 8SOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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