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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > GBU4D

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4665038

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

GBU4D

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Spezifikation

Artikelnummer

GBU4D
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

RECT BRIDGE GPP 4A 200V GBU
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GBU4D.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)

200V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A
Technologie

Standard
Supplier Device-Gehäuse

GBU
Serie

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

4-SIP, GBU
Andere Namen

GBU4D-ND
GBU4DFS
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Single Phase
detaillierte Beschreibung

Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 200V
Strom - Richt (Io)

4A
Basisteilenummer

GBU4D

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Das Folgende sind "GBU4D" -Einziper.

GBU4G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 4A 400V GBU

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

GBU4B-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT GPP 4A 100V GBU

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4G-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 400V GPP GBU

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4B-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 100V GPP GBU

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4G-BP

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 4A 400V GBU

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GBU4D-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT GPP 4A 200V GBU

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4D-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 200V GPP GBU

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4D-BP

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 4A 200V GBU

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GBU4D-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 200V GPP GBU

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4B

Beschreibung: DIODE BRIDGE 100V 4A GBU

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBU4B-BP

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 4A 100V GBU

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GBU4G

Beschreibung: DIODE BRIDGE 400V 4A GBU

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBU4B

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 4A 100V GBU

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

GBU4G-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 400V GPP GBU

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4B-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 100V GPP GBU

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

GBU4D-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT GPP 4A 200V GBU

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4B-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT GPP 4A 100V GBU

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4A-M3/45

Beschreibung: DIODE 1PH 4A 50V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBU4D

GBU4D

Beschreibung: DIODE BRIDGE 200V 4A GBU

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBU4A-M3/51

Beschreibung: DIODE 1PH 4A 50V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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