H11A2SM

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

H11A2SM
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H11A2SM.pdf
Spannung - Ausgabe (max)

30V
Spannung - Isolation

7500Vpk
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V
VCE Sätttigung (max)

400mV
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs
Supplier Device-Gehäuse

6-SMD
Serie

-
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

6-SMD, Gull Wing
Ausgabetyp

Transistor with Base
Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

DC
detaillierte Beschreibung

Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-SMD
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max)

-
Strom - Ausgang / Kanal

-
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

60mA

Das Folgende sind "H11A2SM" -Einziper.

H11A2S1(TB)

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

RFQ

H11A2W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

H11A3

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division

vorrätig

RFQ

H11A2S(TA)-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

RFQ

H11A2VM

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

H11A2S(TB)

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

RFQ

H11A2SR2M

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

H11A2SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

H11A2SR2VM

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

H11A2S-TA1

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Lite-On, Inc.

vorrätig

RFQ

H11A2S(TA)

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

RFQ

H11A2S1(TB)-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

RFQ

H11A2TM

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

H11A2SVM

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

H11A2S1(TA)-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

RFQ

H11A2XSM

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Isocom Components

vorrätig

RFQ

H11A2TVM

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

H11A2X

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Isocom Components

vorrätig

RFQ

H11A2S(TB)-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

RFQ

H11A2S1(TA)

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

RFQ

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Vorabregistrierung

H11A2SM

Online-Anfrage

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

H11A2S1(TB)

H11A2W

H11A3

H11A2S(TA)-V

H11A2VM

H11A2S(TB)

H11A2SR2M

H11A2SD

H11A2SR2VM

H11A2S-TA1

H11A2S(TA)

H11A2S1(TB)-V

H11A2TM

H11A2SVM

H11A2S1(TA)-V

H11A2XSM

H11A2TVM

H11A2X

H11A2S(TB)-V

H11A2S1(TA)

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache