Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Isolatoren > Optoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-Ausgang > H11A817DS
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2708809

H11A817DS

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11A817DS
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11A817DS.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    70V
  • Spannung - Isolation
    5300Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.2V
  • VCE Sätttigung (max)
    200mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-SMD
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    2.4µs, 2.4µs
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SMD, Gull Wing
  • Ausgabetyp
    Transistor
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-SMD
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    300% @ 5mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    600% @ 5mA
  • Strom - Ausgang / Kanal
    50mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "H11A817DS" -Einziper.
H11A817D3S

H11A817D3S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA1

H11AA1

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
H11A817W

H11A817W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817D3SD

H11A817D3SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817D

H11A817D

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA1

H11AA1

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817DSD

H11A817DSD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817DW

H11A817DW

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817SD

H11A817SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817C3SD

H11A817C3SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA1-X001

H11AA1-X001

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
H11A817D300W

H11A817D300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817CSD

H11A817CSD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817CS

H11A817CS

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817S

H11A817S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11A817CW

H11A817CW

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA1

H11AA1

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11A817D300

H11A817D300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA1-V

H11AA1-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11A817C3S

H11A817C3S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.