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119458H11AA814A-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11AA814A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11AA814A
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11AA814A.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    70V
  • Spannung - Isolation
    5300Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.2V
  • VCE Sätttigung (max)
    200mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    2.4µs, 2.4µs
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor
  • Andere Namen
    H11AA814AQT
    H11AA814AQT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    AC, DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    50% @ 1mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    150% @ 1mA
  • Strom - Ausgang / Kanal
    50mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA

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H11AA814300W

H11AA814300W

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11AA814A300

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA814A3S

H11AA814A3S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA814300

H11AA814300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA814

H11AA814

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA814ASD

H11AA814ASD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA4TVM

H11AA4TVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA4W

H11AA4W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA8143S

H11AA8143S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA814AW

H11AA814AW

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA4X

H11AA4X

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Isocom Components
vorrätig
RFQ
H11AA8143SD

H11AA8143SD

Beschreibung: OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AA814A3SD

H11AA814A3SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11AA4TM

H11AA4TM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11AA814AS

H11AA814AS

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11AA814W

H11AA814W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

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H11AA814SD

H11AA814SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

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H11AA814A300W

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

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H11AA4VM

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