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1630462H11AV1SR2M-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11AV1SR2M

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11AV1SR2M
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Ausgabe (max)
    70V
  • Spannung - Isolation
    4170Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.18V
  • VCE Sätttigung (max)
    400mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    15µs, 15µs (Max)
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-SMD
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Gull Wing
  • Ausgabetyp
    Transistor with Base
  • Andere Namen
    H11AV1SR2M-ND
    H11AV1SR2MTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    9 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    100% @ 10mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    300% @ 10mA
  • Strom - Ausgang / Kanal
    -
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    60mA
H11AV2FM

H11AV2FM

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

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vorrätig
H11AV1SR2VM

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Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

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H11AG3W

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11AV1FR2VM

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Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

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Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11AV2FVM

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H11AV2AM

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H11AV1M

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H11AV1A

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H11AV1VM

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H11AV1SVM

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H11AV1SM

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H11AV1FM

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H11AV1AM

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H11AV1X

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H11AV2FR2VM

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H11AV1AVM

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