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2018468H11B1SM-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11B1SM

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11B1SM
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11B1SM.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    30V
  • Spannung - Isolation
    4170Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.2V
  • VCE Sätttigung (max)
    1V
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    25µs, 18µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-SMD
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Gull Wing
  • Ausgabetyp
    Darlington with Base
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    9 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    500% @ 1mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    150mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    80mA

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Das Folgende sind "H11B1SM" -Einziper.
H11B1S(TA)-V

H11B1S(TA)-V

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Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11B1SD

H11B1SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11B1SR2VM

H11B1SR2VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11B1W

H11B1W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11B2

H11B2

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11B1S1(TB)

H11B1S1(TB)

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11B2

H11B2

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
H11B1S(TB)-V

H11B1S(TB)-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11B1S(TB)

H11B1S(TB)

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11B1S(TA)

H11B1S(TA)

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11B1VM

H11B1VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11B2-X009

H11B2-X009

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
H11B1S1(TA)

H11B1S1(TA)

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
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H11B2-V

H11B2-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11B2

H11B2

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11B1SM

H11B1SM

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Isocom Components
vorrätig
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H11B2-X009T

H11B2-X009T

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
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H11B1SR2M

H11B1SR2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11B1S1(TB)-V

H11B1S1(TB)-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

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H11B1S1(TA)-V

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