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3022260H11D1TM-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11D1TM

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11D1TM
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11D1TM.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    300V
  • Spannung - Isolation
    4170Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.15V
  • VCE Sätttigung (max)
    400mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    5µs, 5µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor with Base
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    20% @ 10mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    100mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    80mA

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Das Folgende sind "H11D1TM" -Einziper.
H11D1SVM

H11D1SVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D2

H11D2

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D2

H11D2

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
H11D2300

H11D2300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D2300W

H11D2300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D1M

H11D1M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D1W

H11D1W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D23S

H11D23S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D2M

H11D2M

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D23SD

H11D23SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D1S

H11D1S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D2-X007

H11D2-X007

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
H11D1SM

H11D1SM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D1SD

H11D1SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D1S-TA1

H11D1S-TA1

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Lite-On, Inc.
vorrätig
RFQ
H11D1SR2VM

H11D1SR2VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D1S

H11D1S

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Lite-On, Inc.
vorrätig
RFQ
H11D1VM

H11D1VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D1SR2M

H11D1SR2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11D1S-TA

H11D1S-TA

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Lite-On, Inc.
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