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5254024H11F3M-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11F3M

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11F3M
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11F3M.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    15V
  • Spannung - Isolation
    7500Vpk
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.3V
  • VCE Sätttigung (max)
    -
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    45µs, 45µs (Max)
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Ausgabetyp
    MOSFET
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator MOSFET Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    -
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    -
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    60mA

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H11F3W

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H11F3SVM

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H11F23SD

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H11F33S

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Beschreibung: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

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H11F2W

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Beschreibung: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

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H11F3

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Beschreibung: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

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H11F3300W

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H11F3SM

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H11F3VM

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Beschreibung: OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

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H11FLEXI-PCB

H11FLEXI-PCB

Beschreibung: FLEXIBLE PCB FOR HR/HRP DC/DC

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H11F33SD

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H11F2SD

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H11F3300

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H11G1

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

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