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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > HGT1S20N35G3VLS

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HGT1S20N35G3VLS-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S20N35G3VLS

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Spezifikation

Artikelnummer

HGT1S20N35G3VLS
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT 380V 20A 150W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HGT1S20N35G3VLS.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

375V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 5V, 20A
Testbedingung

300V, 10A, 25 Ohm, 5V
Td (ein / aus) bei 25 ° C

-/15µs
Schaltenergie

-
Supplier Device-Gehäuse

TO-263AB
Serie

-
Leistung - max

150W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Logic
IGBT-Typ

-
Gate-Ladung

28.7nC
detaillierte Beschreibung

IGBT 375V 20A 150W Surface Mount TO-263AB
Strom - Kollektor (Ic) (max)

20A

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Das Folgende sind "HGT1S20N35G3VLS" -Einziper.

HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Beschreibung: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S10N120BNS

Beschreibung: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

Beschreibung: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S7N60A4DS

Beschreibung: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Beschreibung: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A

Beschreibung: IGBT 600V 54A 167W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

Beschreibung: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Beschreibung: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Beschreibung: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Beschreibung: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D

Beschreibung: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1N40N60A4D

HGT1N40N60A4D

Beschreibung: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S12N60A4DS

Beschreibung: IGBT 600V 54A 167W D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Beschreibung: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Beschreibung: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

Beschreibung: IGBT 390V 18A 100W TO262AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S7N60C3DS

Beschreibung: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

Beschreibung: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

Beschreibung: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HGTG10N120BND

Beschreibung: IGBT 1200V 35A 298W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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