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HUFA75852G3-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

HUFA75852G3-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HUFA75852G3-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247-3
Serie

Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)

500W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

HUFA75852G3_F085
HUFA75852G3_F085-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7690pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

480nC @ 20V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 75A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

75A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "HUFA75852G3-F085" -Einziper.

HUFA76409D3S

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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