IRF634B-FP001

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF634B-FP001
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.IRF634B-FP001.pdf
2.IRF634B-FP001.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 4.05A, 10V
Verlustleistung (max)

74W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

IRF634B_FP001
IRF634B_FP001-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 250V 8.1A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.1A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "IRF634B-FP001" -Einziper.

IRF634NPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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