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6536098KSH112GTM_NB82051-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

KSH112GTM_NB82051

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    KSH112GTM_NB82051
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    KSH112GTM_NB82051.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    100V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Transistor-Typ
    NPN - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-Pak
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    1.75W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    25MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount D-Pak
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    1000 @ 2A, 3V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    20µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    2A
  • Basisteilenummer
    KSH112

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KSH112ITU

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KSH122ITU

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KSH231J 50 LFS

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KSH112TF

KSH112TF

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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KSH112GTM_SB82051

KSH112GTM_SB82051

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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KSH241J 50 LFS

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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KSH112GTM

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