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2552639MJ11032G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ11032G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MJ11032G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MJ11032G.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    120V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    3.5V @ 500mA, 50A
  • Transistor-Typ
    NPN - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    300W
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-204AE
  • Andere Namen
    MJ11032GOS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    1000 @ 25A, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    2mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    50A

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MJ1132FE-R52

MJ1132FE-R52

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Hersteller: Ohmite
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RFQ
MJ1153FE-R52

MJ1153FE-R52

Beschreibung: RES 115K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
RFQ
MJ11021G

MJ11021G

Beschreibung: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJ11021

MJ11021

Beschreibung: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJ11028G

MJ11028G

Beschreibung: TRANS NPN DARL 60V 50A TO3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJ11030

MJ11030

Beschreibung: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJ11032

MJ11032

Beschreibung: TRANS NPN DARL 120V 50A TO3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJ11030G

MJ11030G

Beschreibung: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJ11022G

MJ11022G

Beschreibung: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJ1152FE-R52

MJ1152FE-R52

Beschreibung: RES 11.5K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
RFQ
MJ1101FE-R52

MJ1101FE-R52

Beschreibung: RES 1.1K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
RFQ
MJ11033G

MJ11033G

Beschreibung: TRANS PNP DARL 120V 50A TO3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJ1103FE-R52

MJ1103FE-R52

Beschreibung: RES 110K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
RFQ
MJ1150FE-R52

MJ1150FE-R52

Beschreibung: RES 115 OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
RFQ
MJ1131FE-R52

MJ1131FE-R52

Beschreibung: RES 1.13K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
RFQ
MJ1133FE-R52

MJ1133FE-R52

Beschreibung: RES 113K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
RFQ
MJ1181FE-R52

MJ1181FE-R52

Beschreibung: RES 1.18K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
RFQ
MJ1102FE-R52

MJ1102FE-R52

Beschreibung: RES 11K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
RFQ
MJ11022

MJ11022

Beschreibung: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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MJ1130FE-R52

MJ1130FE-R52

Beschreibung: RES 113 OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
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