MMBT5401LT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

MMBT5401LT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MMBT5401LT1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

150V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Leistung - max

300mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

MMBT5401LT1GOSDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

300MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 500mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

60 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA
Basisteilenummer

MMBT5401

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "MMBT5401LT1G" -Einziper.

MMBT5551

Beschreibung:

Hersteller: CJ

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