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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-RF > MMDL101T1
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1087729MMDL101T1-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMDL101T1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MMDL101T1
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SOD-323
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MMDL101T1.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    7V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-323
  • Serie
    -
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Verlustleistung (max)
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-76, SOD-323
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Schottky - Single
  • detaillierte Beschreibung
    RF Diode Schottky - Single 7V 200mW SOD-323
  • Kapazität @ Vr, F
    1pF @ 0V, 1MHz

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Das Folgende sind "MMDL101T1" -Einziper.
MMDL770T1G

MMDL770T1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF2N02ER2G

MMDF2N02ER2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDFS6N303R2

MMDFS6N303R2

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF2N02ER2

MMDF2N02ER2

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDL301T1G

MMDL301T1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF2P02ER2G

MMDF2P02ER2G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF2P02HDR2G

MMDF2P02HDR2G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF3N02HDR2G

MMDF3N02HDR2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDS09254HT1

MMDS09254HT1

Beschreibung: ADVANCED DOHERTY ALIGNMENT MODUL

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
MMDL914-TP

MMDL914-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
MMDL101T1G

MMDL101T1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SOD-323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDL6050T1G

MMDL6050T1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF3N04HDR2

MMDF3N04HDR2

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDL914T3G

MMDL914T3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDL914T1G

MMDL914T1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF3N02HDR2

MMDF3N02HDR2

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDL6050T1

MMDL6050T1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOD323

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDL301T1

MMDL301T1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF2P02HDR2

MMDF2P02HDR2

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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