MMSF7P03HDR2G

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Spezifikation

Artikelnummer

MMSF7P03HDR2G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MMSF7P03HDR2G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5.3A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75.8nC @ 6V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Ta)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "MMSF7P03HDR2G" -Einziper.

MMSD914T3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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