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5858816MMUN2238LT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2238LT1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MMUN2238LT1G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    2.2 kOhms
  • Leistung - max
    246mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    MMUN2238LT1GOSDKR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    36 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    160 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    MMUN22**L
MMUN2231LT1

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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MMUN2233LT1

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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MMUN2215LT1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3

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MMUN2234LT1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3

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MMUN2241LT1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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