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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > MSD601-RT1G

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292078

MSD601-RT1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MSD601-RT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

MSD601-RT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MSD601-RT1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

SC-59
Serie

-
Leistung - max

200mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

MSD601-RT1GOSCT
MSD601RT1G
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

2 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-59
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

210 @ 2mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MSD601

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Das Folgende sind "MSD601-RT1G" -Einziper.

MSD50-18

MSD50-18

Beschreibung: MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M1

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD601-RT1

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.1A SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MSD602-RT1G

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.5A SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MSD52-16

Beschreibung: DIODE BRIDGE 1600V 50A SM2

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD6100

MSD6100

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MSD601-ST1G

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.1A SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MSD52-12

Beschreibung: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM2

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD6100G

MSD6100G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MSD75-08

Beschreibung: DIODE BRIDGE 3PH 800V 75A SM2

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD52-18

MSD52-18

Beschreibung: MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M2

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD75-12

Beschreibung: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 75A SM2

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD50-16

Beschreibung: DIODE BRIDGE 1600V 50A M1

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD6100RLRA

MSD6100RLRA

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MSD4940C

MSD4940C

Beschreibung: LED 7-SEG 2DIGIT CC RED RHDP .4"

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MSD6100RLRAG

MSD6100RLRAG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MSD50-12

Beschreibung: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM1

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD75-16

Beschreibung: MOD DIODE GPP 1600V 75A M2

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD601-ST1

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.1A SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MSD50-08

Beschreibung: DIODE BRIDGE 3PH 800V 50A SM1

Hersteller: Microsemi

vorrätig

MSD52-08

Beschreibung: DIODE BRIDGE 3PH 800V 50A SM2

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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