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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MSRD620CTT4G
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3494154MSRD620CTT4G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MSRD620CTT4G

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$0.315
12500+
$0.311
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSRD620CTT4G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MSRD620CTT4G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    SWITCHMODE™
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    55ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    MSRD620CTT4GOS
    MSRD620CTT4GOS-ND
    MSRD620CTT4GOSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    3A
  • Basisteilenummer
    MSRD620CT

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Das Folgende sind "MSRD620CTT4G" -Einziper.
MSRD620CTRG

MSRD620CTRG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT10060(A)D

MSRT10060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT100140(A)D

MSRT100140(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRF1560G

MSRF1560G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT100100(A)D

MSRT100100(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT100160(A)D

MSRT100160(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRF860G

MSRF860G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSR860G

MSR860G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT150100(A)

MSRT150100(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSR516W

MSR516W

Beschreibung: AUDIO PIEZO INDICATOR 5-16V TH

Hersteller: Mallory Sonalert Products
vorrätig
RFQ
MSRD620CTT4RG

MSRD620CTT4RG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSR860

MSR860

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSR516WR

MSR516WR

Beschreibung: AUDIO PIEZO INDICATOR 5-16V TH

Hersteller: Mallory Sonalert Products
vorrätig
RFQ
MSRD620CTG

MSRD620CTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT100120(A)D

MSRT100120(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRD620CT

MSRD620CT

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT10080(A)D

MSRT10080(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSR516X

MSR516X

Beschreibung: AUDIO PIEZO INDICATOR 5-16V TH

Hersteller: Mallory Sonalert Products
vorrätig
RFQ
MSR516XR

MSR516XR

Beschreibung: AUDIO PIEZO INDICATOR 5-16V TH

Hersteller: Mallory Sonalert Products
vorrätig
RFQ
MSR516NSR

MSR516NSR

Beschreibung: AUDIO PIEZO INDICATOR 5-16V TH

Hersteller: Mallory Sonalert Products
vorrätig
RFQ
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