MTD5P06VT4GV

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Spezifikation

Artikelnummer

MTD5P06VT4GV
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MTD5P06VT4GV.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta), 40W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "MTD5P06VT4GV" -Einziper.

MTD6000PT-T

Beschreibung: PHOTOTRANS 880NM PIGTAIL DOME

Hersteller: Marktech Optoelectronics

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