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701669MTY100N10E-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MTY100N10E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MTY100N10E
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MTY100N10E.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Andere Namen
    MTY100N10EOS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    10640pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    378nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-264
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A (Tc)

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Zahlung
Das Folgende sind "MTY100N10E" -Einziper.
IRF1405STRRPBF

IRF1405STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFZ44VSTRL

IRFZ44VSTRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FCP11N60N

FCP11N60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP75N04YUG-E1-AY

NP75N04YUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SI6463BDQ-T1-GE3

SI6463BDQ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXTH200N085T

IXTH200N085T

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 200A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
VN0109N3-G

VN0109N3-G

Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
CSD17381F4

CSD17381F4

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
FQA9N90C-F109

FQA9N90C-F109

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQP4P40

FQP4P40

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 3.5A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STFI31N65M5

STFI31N65M5

Beschreibung: MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
BSS84W-7-F

BSS84W-7-F

Beschreibung: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRFU3708PBF

IRFU3708PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDA24N50

FDA24N50

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
AUIRF1010Z

AUIRF1010Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXFH18N90P

IXFH18N90P

Beschreibung: MOSFET N-CH TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SFP9630

SFP9630

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPC100N04S51R9ATMA1

IPC100N04S51R9ATMA1

Beschreibung: N-CHANNEL_30/40V

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI7114DN-T1-GE3

SI7114DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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