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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > MUN2211T1G

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394524

MUN2211T1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN2211T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

MUN2211T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MUN2211T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SC-59
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

230mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

MUN2211T1GOS
MUN2211T1GOS-ND
MUN2211T1GOSTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

35 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MUN2211

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Das Folgende sind "MUN2211T1G" -Einziper.

MUN2211JT1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2137T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2135T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2140T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.23W SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2211JT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2214T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2212T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2211T3G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2213JT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2213T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2134T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2136T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2211T3

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2213JT1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2212T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2138T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2214T3G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2214T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2136T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2141T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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