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5608751MUN2230T1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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    MUN2230T1G
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  • Bestandsmenge
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  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-59
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    1 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    1 kOhms
  • Leistung - max
    338mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    2 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    3 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
MUN2232T1G

MUN2232T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN2233T1

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN2214T3G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN2216T1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN2238T1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN2212T1G

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MUN2237T1G

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MUN2231T1

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MUN2214T1

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MUN2235T1G

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