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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > MUN5113T1G

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MUN5113T1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN5113T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

MUN5113T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MUN5113T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SC-70-3 (SOT323)
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms
Leistung - max

202mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

MUN5113T1GOSCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MUN51**T

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Das Folgende sind "MUN5113T1G" -Einziper.

MUN5113DW1T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: ON Semiconductor

vorrätig

MUN2240T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5116DW1T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2241T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5114DW1T1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2237T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5111DW1T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5112T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5115T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5114T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN2238T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5113T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5111T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5115T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5113T3G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5114T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5115DW1T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5112DW1T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5114DW1T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MUN5116DW1T1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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