Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > MVDF2C03HDR2G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6035078

MVDF2C03HDR2G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MVDF2C03HDR2G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MVDF2C03HDR2G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 3A, 10V
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    630pF @ 24V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Typ FET
    N and P-Channel Complementary
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.1A, 3A

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MVDF2C03HDR2G" -Einziper.
AO4614BL_201

AO4614BL_201

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
DMPH6050SPDQ-13

DMPH6050SPDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SI5947DU-T1-E3

SI5947DU-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MVDF1N05ER2G

MVDF1N05ER2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6306P

FDG6306P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDS4885C

FDS4885C

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ALD1102PAL

ALD1102PAL

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
AON6934

AON6934

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
GWM120-0075X1-SL

GWM120-0075X1-SL

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
APTM50HM75FTG

APTM50HM75FTG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPG20N04S4L08AATMA1

IPG20N04S4L08AATMA1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDS6911

FDS6911

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7304TR

IRF7304TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NTLUD3191PZTBG

NTLUD3191PZTBG

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMH2604-TL-H

EMH2604-TL-H

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AON4803

AON4803

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IRF9358PBF

IRF9358PBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.