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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > N25S818HAT21IT
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N25S818HAT21IT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    N25S818HAT21IT
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 256K SPI 16MHZ 8TSSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SRAM
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM Memory IC 256Kb (32K x 8) SPI 16MHz
  • Uhrfrequenz
    16MHz
N25Q512A83G12A0F

N25Q512A83G12A0F

Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 108MHZ TBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25Q512A83G12A0F TR

N25Q512A83G12A0F TR

Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 24TPBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25S830HAT22IT

N25S830HAT22IT

Beschreibung: IC SRAM 256K SPI 20MHZ 8TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
N25Q512A83GSFA0F TR

N25Q512A83GSFA0F TR

Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 108MHZ SOIC

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25S830HAT22I

N25S830HAT22I

Beschreibung: IC SRAM 256K SPI 20MHZ 8TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
N25S818HAT21I

N25S818HAT21I

Beschreibung: IC SRAM 256K SPI 16MHZ 8TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
N25Q512A83G12H0F

N25Q512A83G12H0F

Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 108MHZ TBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25W032A11EF640F TR

N25W032A11EF640F TR

Beschreibung: IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8VDFPN

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25S830HAS22IT

N25S830HAS22IT

Beschreibung: IC SRAM 256K SPI 20MHZ 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
N25S818HAS21I

N25S818HAS21I

Beschreibung: IC SRAM 256K SPI 16MHZ 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
N25W032A11EF640E

N25W032A11EF640E

Beschreibung: IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8VDFPN

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25W064A11EF640F TR

N25W064A11EF640F TR

Beschreibung: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25W128A11EF740F TR

N25W128A11EF740F TR

Beschreibung: IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25Q512A83GSF40G

N25Q512A83GSF40G

Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 108MHZ 16SOP2

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25S830HAS22I

N25S830HAS22I

Beschreibung: IC SRAM 256K SPI 20MHZ 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
N25W128A11EF740E

N25W128A11EF740E

Beschreibung: IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25Q512A83GSF40F TR

N25Q512A83GSF40F TR

Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 108MHZ 16SOP2

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25QH32A13EV7A0

N25QH32A13EV7A0

Beschreibung: IC FLASH MEMORY NOR DIE

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25W064A11EF640E

N25W064A11EF640E

Beschreibung: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
N25Q512A83G12H0F TR

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Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 24TPBGA

Hersteller: Micron Technology
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