NCV8440ASTT3G

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Spezifikation

Artikelnummer

NCV8440ASTT3G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NCV8440ASTT3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.9V @ 100µA
Vgs (Max)

±15V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-223
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 2.6A, 10V
Verlustleistung (max)

1.69W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 35V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

59V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 59V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.6A (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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NCV8460ADR2G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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