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2011446NDPL070N10BG-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDPL070N10BG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NDPL070N10BG
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NDPL070N10BG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.8 mOhm @ 35A, 15V
  • Verlustleistung (max)
    2.1W (Ta), 72W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    NDPL070N10BGOS
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2010pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V, 15V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 70A (Ta) 2.1W (Ta), 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    70A (Ta)

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NDPL180N10BG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3

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NDPL-10-V

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NDPL-08-V

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NDPL100N10BG

NDPL100N10BG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO220

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NDPL-05-V

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NDPL-07T-V

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NDPL-09T-V

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NDPL-09-V

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NDPL-07-V

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NDPL-12T-V

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