NDT451AN_J23Z

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Spezifikation

Artikelnummer

NDT451AN_J23Z
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.NDT451AN_J23Z.pdf
2.NDT451AN_J23Z.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 7.2A, 10V
Verlustleistung (max)

3W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 7.2A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.2A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NDT451AN_J23Z" -Einziper.

NDT02N40T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDT451AN_J23Z

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