NGTD20T120F2WP

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Spezifikation

Artikelnummer

NGTD20T120F2WP
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NGTD20T120F2WP.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A
Testbedingung

-
Td (ein / aus) bei 25 ° C

-
Schaltenergie

-
Supplier Device-Gehäuse

Die
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Die
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Standard
IGBT-Typ

Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
Strom - Collector Pulsed (Icm)

100A

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NGTD20T120F2WP" -Einziper.

NGTD21T65F2SWK

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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