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NILMS4501NR2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NILMS4501NR2G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NILMS4501NR2G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-PLLP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.4W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    4-DFN
  • Andere Namen
    NILMS4501NR2GOSCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1500pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Current Sensing
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    24V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 24V 9.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 4-PLLP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    9.5A (Ta)

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Das Folgende sind "NILMS4501NR2G" -Einziper.
NTD4910NT4G

NTD4910NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 37A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTH6N90A

IXTH6N90A

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IPL70R2K1CESATMA1

IPL70R2K1CESATMA1

Beschreibung: MOSFET COOLMOS 700V 8TSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFR4620PBF

IRFR4620PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDMS86322

FDMS86322

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRL60S216

IRL60S216

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 195A

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
RFQ
FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
TSM70N600CH C5G

TSM70N600CH C5G

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SI2331DS-T1-E3

SI2331DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IPD50R280CEBTMA1

IPD50R280CEBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NILMS4501NR2

NILMS4501NR2

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ZVN4310GTA

ZVN4310GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRF1404STRRPBF

IRF1404STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RFP70N06

RFP70N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 70A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AOD4T60

AOD4T60

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NTHD3101FT3G

NTHD3101FT3G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF640PBF

IRF640PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RJK6015DPK-00#T0

RJK6015DPK-00#T0

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
STR2N2VH5

STR2N2VH5

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
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