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4202653NSBA123EDXV6T1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NSBA123EDXV6T1G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-563
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    2.2 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    2.2 kOhms
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    NSBA123EDXV6T1GOS
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    8 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    NSBA1*
NSBA115TDP6T5G

NSBA115TDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA115TF3T5G

NSBA115TF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA123EF3T5G

NSBA123EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA123TF3T5G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA124EDXV6T1

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA114YF3T5G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA114TF3T5G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA115EDXV6T1G

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA123JDXV6T5G

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA123JDXV6T1G

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA123JF3T5G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA123TDP6T5G

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSBA114YDP6T5G

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA123JDP6T5G

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

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NSBA114TDXV6T5

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

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NSBA123EDXV6T1

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

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NSBA114YDXV6T1G

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

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NSBA124EDP6T5G

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

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NSBA123JDXV6T1

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