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5800646NSBC114TDXV6T1-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NSBC114TDXV6T1
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    NSBC114TDXV6T1.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-563
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    NSBC114TDXV6TOSCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    160 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    NSBC1*

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Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

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Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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