NSBC114YPDP6T5G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSBC114YPDP6T5G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSBC114YPDP6T5G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-963
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

339mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-963
Andere Namen

NSBC114YPDP6T5GOSDKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

NSBC1*

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSBC114YPDP6T5G" -Einziper.

NSBC115EPDXV6T1G

Beschreibung: SS SOT563 RSTR XSTR TR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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