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6606888NSM11156DW6T1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSM11156DW6T1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NSM11156DW6T1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NSM11156DW6T1G.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V, 65V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
  • Transistor-Typ
    1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    230mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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NSM10AJB-75R

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NSM10AJB-56R

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NSM200JB-2R4

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NSM10AJB-62R

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NSM200JB-1R8

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NSM10AJB-82R

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NSM200JB-1R3

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NSM200JB-1R2

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