NST30010MXV6T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NST30010MXV6T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NST30010MXV6T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

30V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA
Transistor-Typ

2 PNP (Dual) Matched Pair
Supplier Device-Gehäuse

SOT-563
Serie

-
Leistung - max

500mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

NST30010MXV6T1GOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 30V 100mA 100MHz 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

420 @ 2mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

NST30010M

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NST30010MXV6T1G" -Einziper.

NST-3/8-BLACK 100

Beschreibung: HEATSHRINK 3/8 BLACK 5'

Hersteller: 3M

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