NSV40200UW6T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSV40200UW6T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSV40200UW6T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 20mA, 2A
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Leistung - max

875mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-WDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

140MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 2A 140MHz 875mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

150 @ 1A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

2A

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSV40200UW6T1G" -Einziper.

NSV40200LT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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