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5531269NTD20P06L-1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD20P06L-1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NTD20P06L-1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NTD20P06L-1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    I-PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 7.5A, 5V
  • Verlustleistung (max)
    65W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1190pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 60V 15.5A (Ta) 65W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    15.5A (Ta)

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NTD20P06LG

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NTD2410

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NTD23N03R-001

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NTD20N06L-1G

NTD20N06L-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

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RFQ
NTD23N03RT4

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK

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NTD23N03RG

NTD23N03RG

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK

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NTD20N06LT4

NTD20N06LT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

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NTD20P06L-001

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Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK

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NTD23N03R-1G

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NTD20P06LT4G

NTD20P06LT4G

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NTD20N06LT4G

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NTD23N03R

NTD23N03R

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTD20N06L-001

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

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NTD20N06T4G

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NTD20N06T4

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NTD20N06-1G

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NTD20N06G

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