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329435NTD4858NT4G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4858NT4G

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  • Artikelnummer
    NTD4858NT4G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    NTD4858NT4GOSCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1563pF @ 12V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19.2nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    25V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 25V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    11.2A (Ta), 73A (Tc)
NTD4858NA-1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

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NTD4857N-1G

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NTD4860N-35G

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NTD4860N-1G

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NTD4863NA-35G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK

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NTD4860NA-35G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED

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NTD4860NAT4G

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NTD4858NA-35G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

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NTD4857NAT4G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK

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NTD4860NA-1G

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NTD4858N-35G

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