NTD5C648NLT4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTD5C648NLT4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

NTD5C648NLT4G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 45A, 10V
Verlustleistung (max)

4.4W (Ta), 76W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

NTD5C648NLT4G-ND
NTD5C648NLT4GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status

Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 22A (Ta), 91A (Tc) 4.4W (Ta), 76W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A (Ta), 91A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NTD5C648NLT4G" -Einziper.

NTD60N02RT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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