NTDV5805NT4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTDV5805NT4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTDV5805NT4G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1725pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 51A (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

51A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTDV5805NT4G" -Einziper.

NTD85N02RT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 12A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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