NTGD3149CT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTGD3149CT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTGD3149CT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Leistung - max

900mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

387pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.4A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.2A, 2.4A

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTGD3149CT1G" -Einziper.

NTGS3441BT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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