NTLJF3118NTBG

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Spezifikation

Artikelnummer

NTLJF3118NTBG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTLJF3118NTBG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Verlustleistung (max)

700mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-WDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

271pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 2.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.6A (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTLJF3118NTBG" -Einziper.

NTLJF4156NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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