Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > NTMD4N03R2G

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

5550049

NTMD4N03R2G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

1+

$0.78

10+

$0.655

100+

$0.491

500+

$0.36

1000+

$0.278

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

NTMD4N03R2G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMD4N03R2G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4A, 10V
Leistung - max

2W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

NTMD4N03R2GOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A
Basisteilenummer

NTMD4N03

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "NTMD4N03R2G" -Einziper.

NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD6N03R2G

NTMD6N03R2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD6N02R2

NTMD6N02R2

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD4820NR2G

NTMD4820NR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD4184PFR2G

NTMD4184PFR2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD6P02R2SG

NTMD6P02R2SG

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD2C02R2

NTMD2C02R2

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD2P01R2G

NTMD2P01R2G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD6N03R2

NTMD6N03R2

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD2C02R2SG

NTMD2C02R2SG

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD5838NLR2G

NTMD5838NLR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD3P03R2G

NTMD3P03R2G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD4840NR2G

NTMD4840NR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD4884NFR2G

NTMD4884NFR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD2P01R2

NTMD2P01R2

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD2C02R2G

NTMD2C02R2G

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.