NTMFD4902NFT3G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMFD4902NFT3G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMFD4902NFT3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max

1.1W, 1.16W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

46 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 13.3A 1.1W, 1.16W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10.3A, 13.3A

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2025/03/31

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Das Folgende sind "NTMFD4902NFT3G" -Einziper.

NTMFD4C50NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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